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Si1031R/X
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
25
V GS = 1. 8 V
120
V GS = 0 V
20
V GS = 2.5 V
100
8 0
f = 1 MHz
C iss
15
60
10
40
5
0
V GS = 4.5 V
20
0
C rss
C oss
0
200
400
600
8 00
1000
0
4
8
12
16
20
5
4
3
I D - Drain C u rrent (mA)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 10 V
I D = 150 mA
1.6
1.4
1.2
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V GS = 4.5 V
I D = 150 mA
2
1
0
1.0
0. 8
0.6
V GS = 1. 8 V
I D = 125 mA
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
1.4
1.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
1000
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
50
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
T J = 125 °C
40
100
T J = 25 °C
30
I D = 150 mA
T J = - 55 °C
20
10
10
I D = 125 mA
1
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
6
V SD - S o u r c e - t o - D r a i n V o l t a g e ( V )
Surge-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71171
S10-2544-Rev. D, 08-Nov-10
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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